[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010104334.9 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN112531012A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘思麟;洪照俊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括基板和在基板中的多个源极/漏极(S/D)区域，其中多个源极/漏极区域中的每一者包括具有第一掺杂剂类型的第一掺杂剂，并且多个源极/漏极区域中的每一者电性耦合在一起。半导体装置还包括在基板上方的栅极堆叠。半导体装置还包括在基板中的通道区域，其中通道区域在栅极堆叠下方且在多个源极/漏极区域中的相邻的源极/漏极区域之间，通道区域包括具有第一掺杂剂类型的第二掺杂剂，并且在通道区域中第二掺杂剂的浓度小于多个源极/漏极区域每一者中的第一掺杂剂的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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