[发明专利]一种改善大直径硅圆片表面纳米形貌的切割工艺在审
| 申请号： | 202010106029.3 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111267256A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 常雪岩;谢艳;武卫;孙晨光;刘建伟;由佰玲;刘园;裴坤羽;祝斌;刘姣龙;杨春雪;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善大直径硅圆片表面纳米形貌的切割工艺，步骤包括：在恒定温度下，采用直径不小于0.5mm的金刚线，在低粘度的砂浆中对一定长度的硅圆棒进行切割，所述砂浆粘度不大于35mPa.s。本发明提出的切割工艺，尤其是适用于大尺寸硅片的切割，降低线切割引起的表面平整度，提高硅片表面纳米形貌，使硅圆片表面平整度的平均值＜10μm；同时，获得的硅圆片表面微观纳米形貌中nano尺寸均值＜15nm，保证产品质量，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 直径 硅圆片 表面 纳米 形貌 切割 工艺 | ||
【主权项】：
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