[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种提高沟道形成区域的载流子迁移率的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：单结晶半导体基板；基底层，设于单结晶半导体基板上；层叠体，包括交替地层叠在基底层上的导电层和绝缘层和基底层；单结晶半导体层，沿与单结晶半导体基板的表面垂直的第一方向延伸，并贯通层叠体，一端位于比基底层靠单结晶半导体基板侧的位置，与下凹的单结晶半导体基板的表面接触；以及存储器膜，设于单结晶半导体层和导电层之间。单结晶半导体层的晶体取向和单结晶半导体基板的晶体取向相同。