[发明专利]一种背照式BIB红外探测器硅外延片的制造方法

摘要

本发明涉及一种背照式BIB红外探测器用硅外延片的制造方法，选择N型100掺PH抛光片，电阻率＞10000Ω.cm，不背封衬底，减少衬底自掺杂影响。通过HCL原位高温抛光，以去除表面杂质和缺陷，改善衬底表面质量。通过大流量高温吹除工艺，减少炉腔内自掺杂影响。使用两步三层外延法，背电极层、低阻吸收层同步生长，本征阻挡层分步生长，两步之间大流量H2降温吹除；本征层外延装片前大流量气腐腔体，外延时低速低温生长。本发明通过特殊工艺，在高阻衬底上，制备出了薄层低浓度的背电极层，通过控制自掺杂使得过渡区较为陡直，且本征阻挡层有较宽平区，满足BIB器件设计的要求。