[发明专利]一种单芯片白光LED的制备方法在审
| 申请号： | 202010106714.6 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111312867A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 苗振林 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种单芯片白光LED的制备方法，包括：在衬底上刻蚀对位光刻标记点；依次生长GaN或AlN成核层、非故意掺杂GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；生长不同发光波长的有源区发光层；生长p型GaN层得到多区域不同发光波长的LED外延片；利用光刻工艺把芯片加工中的透明导电膜制备、芯片台面刻蚀、单胞深槽刻蚀、侧壁钝化和单胞间电极蒸镀布线的光刻版，与上述的光刻版形成的对位标记进行套刻；保证设计的不同发光波长的有源区和芯片中的单胞对应，并根据预先设计的单胞间的串并联关系，通过蒸镀薄膜金属电极材料并在不同单胞间布线，将不同的所述单胞互连。本申请可以简化直接得到单芯片白光LED照明芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 白光 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
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