[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202010106942.3 | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN112951856A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 李学能 | 申请(专利权)人: | 京鹰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 中国香港湾仔皇后*** | 国省代码: | 香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器,包括半导体衬底、多个微透镜、多个彩色滤光片、内连线结构以及反射层。半导体衬底具有彼此相对的第一面与第二面,半导体衬底包括排列成阵列的多个感测像素,多个感测像素的每一者分别包括多个感光元件。多个微透镜位于半导体衬底的第一面上。多个彩色滤光片位于半导体衬底与多个微透镜之间。内连线结构位于半导体衬底的第二面上,且电性耦接至多个感光元件。反射层位于内连线结构与多个感光元件之间,且反射层被配置为将穿透多个感光元件的全部或部分光线反射回多个感光元件。内连线结构包括交替堆迭的多个线路层,且反射层与多个线路层中最靠近半导体衬底的一者位于同一层级。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的