[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202010107193.6 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN112447847B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 加藤浩朗;稻田充郎;白石达也;西胁达也;小林研也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能够获得高耐压、低导通电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部；电极，设置于上述半导体部上；及位于上述半导体部与上述电极之间的控制电极以及多个场电极。上述控制电极配置于第1沟槽的内部，从上述半导体部电绝缘。上述场电极配置于第2沟槽的内部，通过第3绝缘膜从上述半导体部电绝缘。上述第3绝缘膜包含第1绝缘部和比上述第1绝缘部薄的第2绝缘部。在上述多个场电极中的1个场电极与上述半导体部之间存在的第3绝缘膜中，上述第1绝缘部位于上述1个场电极和与上述1个场电极最接近的别的场电极之间。上述第2绝缘部与上述第1绝缘部相邻，位于上述1个场电极与其他场电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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