[发明专利]采用单层金属工艺的SGTO器件及其版图结构、制造方法有效
| 申请号： | 202010107279.9 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111293113B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;陈楠;许晓锐 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/082 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，具体的说是涉及一种采用单层金属工艺的SGTO器件及其版图结构、制造方法。本发明主要是在常规SGTO器件板图和工艺的基础上，采用单层金属工艺，将栅极金属和阴极金属图形做在同一金属层上，通过单次淀积和刻蚀工艺同时完成正面栅极和阴极金属图形化。通过合理的版图结构布局，在不牺牲器件导通性能的情况下简化了器件制造工艺，提高了器件的可靠性，有利于SGTO器件的商用化。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 单层 金属工艺 sgto 器件 及其 版图 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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