[发明专利]一种降低硅片表面冰黏附强度的方法有效
| 申请号： | 202010107340.X | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111181485B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 何志伟;夏丽娜 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H02S40/12 | 分类号： | H02S40/12;C09D183/04 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 孙孟辉 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低硅片表面冰黏附强度的方法，包括如下步骤：步骤S10，在硅材料表面制备微孔,所述微孔，高度为1.1微米；步骤S20，在带微孔的所述硅材料表面覆盖PDMS膜，所述PDMS膜黏贴在带微孔的所述硅材料表面之前，先利用氧等离子体清洁带微孔的硅材料表面；步骤S30，将所述PDMS膜固化在所述硅材料表面；所述步骤S10，在硅材料表面制备微孔的方法，包括如下步骤：步骤S101，在硅材料表面旋涂光刻胶；步骤S102，曝光需制备微孔区域的所述光刻胶；步骤S103，对曝光区域进行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 硅片 表面 黏附 强度 方法 | ||
【主权项】：
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