[发明专利]一种RGB LED集成显示阵列的制备方法有效
申请号: | 202010107347.1 | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN111146316B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 苗振林 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L27/15 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 423038 湖南省郴*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本申请公开了一种RGB LED集成显示阵列的制备方法,包括:在衬底上刻蚀出光刻时对版的光刻标记点;依次生长GaN或AlN成核层、非故意掺杂GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层;在光刻版中标定区域中分别生长RGB三基色发光波长的三种有源区发光层,得到RGB三基色发光波长的外延层区域;在各个有源区发光层上生长p型GaN层;利用光刻工艺把芯片加工中的透明导电膜制备、芯片台面刻蚀、单胞深槽刻蚀、侧壁钝化和蒸镀欧姆接触电极的光刻版,与上述的光刻版形成的对位标记进行套刻;蒸镀薄膜金属电极材料得到RGB三基色的LED集成显示阵列。本申请可以简化直接得到RGB LED集成显示阵列。 | ||
搜索关键词: | 一种 rgb led 集成 显示 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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