[发明专利]晶棒生长控制方法以及控制系统有效
| 申请号： | 202010107769.9 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN113293433B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 温雅楠;金光勲 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶棒生长控制方法以及控制系统，所述晶棒生长温度优化方法至少包括：设定目标晶棒直径、目标提拉速度以及目标生长温度；检测实际晶棒直径并根据所述实际晶棒直径调整提拉速度，形成实际提拉速度，并将所述实际提拉速度与所述目标提拉速度进行比较；当所述实际提拉速度与所述目标提拉速度的差值超出偏差范围时，对目标生长温度进行调整，形成新目标生长温度；重复以上步骤，直至完成晶棒生长。本发明通过在晶棒生长过程中对晶体生长温度的实时校正，减小实际生长温度与目标温度之间的差距，实现晶体生长过程中的精细化控制，有助于提高晶体生长质量以及产量。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 控制 方法 以及 控制系统 | ||
【主权项】：
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