[发明专利]一种图像传感器结构在审
| 申请号： | 202010107813.6 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111312693A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 范春晖;王玮 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图像传感器结构，包括：衬底，设于所述衬底上的浅槽隔离区，依次位于所述浅槽隔离区之间的光电二极管、传输晶体管和浮置扩散区；其中，靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区的表面上设有电极，所述电极的边界位于所述浅槽隔离区的边界以内。本发明可抑制靠近浅槽隔离区表面的衬底硅中电子的产生，有效降低浅槽隔离区的暗电流来源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 结构 | ||
【主权项】：
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