[发明专利]一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法

摘要

本发明属于磁电耦合材料制备技术领域，具体涉及一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法。该异质结构包括依次层叠设置的衬底、氧化铪层、铁磁层和铂电极；氧化铪层为具有铁电性的掺杂氧化铪；铁磁层为CoFe2O4层、Fe3O4层、Co层、NiFe合金层或CoFe合金层。该电场调控磁性异质结构中掺杂氧化铪为正交相结构，与硅基半导体工艺的兼容性良好，且掺杂氧化铪中不含有毒重金属铅，同时掺杂氧化铪可以和CoFe2O4、Fe3O4、Co、NiFe合金或CoFe合金的铁磁层间传递应力、实现电荷积累，从而产生磁电耦合，实现室温电场调控磁性，有效克服了传统铁电材料对硅基工艺的不兼容性以及磁矩调控幅度小的问题。