[发明专利]一种硒化钯单晶及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 202010110298.7 申请日: 2020-02-21
公开(公告)号: CN111206284B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 段曦东;黎博;许维婷 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B25/00;H01L29/24;H01L29/772
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 盛武生;魏娟
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明属于单晶制备技术领域,具体公开了一种二硒化钯(PdSe2)单晶的合成方法,即在810~850℃和450~600℃的温度下分别加热Pd粉、Se粉使其蒸发,并在保护气作为载气的情况下使其运输至基底表面进行反应生长,制备出所述的PdSe2单晶,其中,载气流量为50~90sccm。另一方面,将所合成的PdSe2单晶制备成电学、光电学器件,通过对器件的测试,证实PdSe2为一种具有高迁移率和高响应性的新型空气稳定型二维材料,可成为下一代光电应用的高质量候补材料。
搜索关键词: 一种 硒化钯单晶 及其 制备 应用
【主权项】:
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