[发明专利]一种GaN准垂直结构二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010110946.9 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299766B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 王茂俊;李玥;尹瑞苑 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/205;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN准垂直结构二极管及其制备方法。该GaN准垂直结构二极管是在衬底上依次外延的应力缓冲层、AlGaN插入层、重掺杂的氮面n型GaN电流传输层、轻掺杂的氮面n型GaN漂移层，其中漂移层和电流传输层在AlGaN插入层上形成台阶状的水平台面；阳极位于漂移层上，与漂移层形成肖特基接触；阴极位于电流传输层的侧壁及AlGaN插入层上，与电流传输层和AlGaN插入层形成欧姆接触。该器件在AlGaN和GaN的界面处形成高浓度的二维电子气，从而大幅降低了电流传输层的横向电阻，可以有效改善上方漂移区的电流积聚效应，从而获得低的导通电阻，提高了异质外延GaN准垂直结构二极管的正向性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 垂直 结构 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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