[发明专利]基于铌酸锂-硅晶圆的高速低电压电光调制器有效
| 申请号： | 202010111302.1 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111175999B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 邹卫文;王静;徐绍夫;王兴军 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;北京大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035;G02F1/21 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于铌酸锂‑硅晶圆的高速低压电光调制器，硅晶圆位于铌酸锂晶圆上方，通过刻蚀硅波导，形成铌酸锂‑硅混合波导，通过改变硅波导的结构使得光波在铌酸锂‑硅混合波导中具有不同的能量分布。当硅波导中具有更多的能量分布时，适用于实现紧凑的分波功能、合波功能与热光调制功能；当铌酸锂波导中具有更高的能量分布时，适用于实现高速、低电压的电光调制功能。本发明分别发挥了铌酸锂和硅材料平台的优势，适用于高速低电压的电光调制。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 硅晶圆 高速 电压 电光 调制器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学;北京大学，未经上海交通大学;北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010111302.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种夹具型螺旋桩
- 下一篇：显示装置以及电子设备
