[发明专利]一种相变材料、相变存储器单元及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010111861.2 申请日: 2020-02-24
公开(公告)号: CN111320145A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 宋志棠;王若冰;宋三年 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;C01B19/00;H01L45/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及微纳电子技术领域,本发明公开了一种相变材料,其包括M和碲(Te)两种化学元素,该相变材料的化学通式为M100‑x‑y‑zGexSbyTez,其中,x、y和z为元素的原子百分比,该M为铪(Hf)或者铟(In)。本发明提供的相变材料具有热稳定性好特点。
搜索关键词: 一种 相变 材料 存储器 单元 及其 制作方法
【主权项】:
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