[发明专利]非易失性半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010112529.8 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112466367A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 渡辺正一;野口充宏 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C5/02;G11C5/06;G06F11/10;H01L27/11551;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
非易失性半导体存储装置(20)具备：半导体衬底(30)，具有第1导电型，且在背面具备破碎层(30R)；存储单元阵列(21)，配置在半导体衬底的与破碎层相反侧的正面上；及第1导电型高电压晶体管(HVP)，配置在半导体衬底上，具备第1导电型通道，对存储单元阵列供给高电压。第1导电型高电压晶体管具备：阱区域(NW)，配置在半导体衬底的正面，具有与第1导电型为相反导电型的第2导电型；p |
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| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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