[发明专利]一种具有二级结构的多孔阵列电极及其制备方法和用途有效
申请号: | 202010113146.2 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111188056B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 孙晓明;李佳伟;邝允 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C25B11/031 | 分类号: | C25B11/031;C25B11/054;C25B11/081;C25B1/04;C25D3/50 |
代理公司: | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人: | 陈有业 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于电解水技术领域,特别涉及一种具有二级结构的多孔阵列电极及其制备方法和用途。多孔阵列电极,包括:多孔导电基底;生长在所述多孔导电基底上的初级阵列结构;放射状生长在所述初级阵列结构的每个单元表面的片状、锥状、或尖刺状的次级纳米结构。本发明还公开了上述电极的制备方法和用途。本发明的多孔电极结构为首次得到,导电基底表面具有阵列化的二级结构,可以更加牢固的与导电基底结合,不易损坏脱落,还能够暴露更多的活性位点用于电化学反应,提高电化学反应效率,将其用作电解水析氢反应的阴极材料,可以得到更多纳米级氢气气泡。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 二级 结构 多孔 阵列 电极 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
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