[发明专利]一种柔性GMR磁场传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010113228.7 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111312891A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘明;胡忠强;王志广;周子尧;段君宝;王立乾 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;G01R33/09 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种柔性GMR磁场传感器及其制备方法，包括柔性基底、巨磁电阻结构和导电层；巨磁电阻结构和导电层均设置在柔性基底上表面，且导电层设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层、第二缓冲层、钉扎层、隔离层和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层和自由层；第一缓冲层设置在柔性基底上表面，第一缓冲层上自下而上依次设置钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和第二缓冲层，形成巨磁电阻结构。本发明实现了使用超薄柔性基底对巨磁电阻结构的多层磁性传感器薄膜能够实现曲率半径为微米级的弯折上万次而不产生疲劳，同时可以减小器件面积来实现高密度的芯片集成，具有灵敏度较高、体积小、功耗低、可靠性高、温度特性好、可集成化优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 gmr 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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