[发明专利]一种半导体结构制造方法在审
| 申请号： | 202010113773.6 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299598A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李渊 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施方式涉及半导体技术领域，公开了半导体结构制造方法。本实施方式中，包括：提供绝缘基底；采用物理气相沉积工艺在所述绝缘基底上沉积隔离层，所述隔离层包括钴原子、以及位于钴原子晶界位置的阻挡原子；在所述隔离层上沉积含铜金属层。本实施方式能够较好地阻挡含铜金属层中的铜原子扩散到绝缘基底中，减少寄生电容的产生。相比较现有技术中通过钽金属作为隔离层而言，包含钴原子的隔离层与含铜金属层之间具有相对较好的粘附性，提高对铜的抗电子迁移性，改善半导体结构的使用寿命；且包含钴原子的隔离层电阻率较低，可以提高了半导体结构的性能。另外，采用物理气相沉积工艺沉积隔离层，隔离层的纯度高，均匀性好，阻值也较为稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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