[发明专利]一种实现偏振控制的VCSEL器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010114527.2 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN110957635B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 梁栋;刘嵩;张成 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 213164 江苏省常州市武进*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种实现偏振控制的VCSEL器件及其制备方法，由第一方向两侧的两个第一沟道和第二方向两侧的两个第二沟道限定出台面结构；所述第一沟道和所述第二沟道上包括有第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层由第一沟道向所述台面结构内部延伸，所述第二氧化层由第二沟道向所述台面结构内部延伸；所述第一氧化层的层数与所述第二氧化层的层数不同和/或所述第一氧化层的氧化长度与第二氧化层的氧化长度不同。本发明所公开的技术方案通过氧化层的不同面积、不同长度、不同层数造成两个方向的应力不同，可以做到不影响VCSEL的能量转换效率，同时能够减少VCSEL器件的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 偏振 控制 vcsel 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州纵慧芯光半导体科技有限公司，未经常州纵慧芯光半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010114527.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
