[发明专利]一种高隔离度的双极化腔体辐射单元有效

专利信息
申请号: 202010115407.4 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN111293424B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 朱玉建;张晓;谭挺艳;毕晓坤;李津;袁涛 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q5/307;H01Q13/18
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 冯筠
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种高隔离度的双极化腔体辐射单元,属于通讯技术领域。改辐射单元包括内部设置有谐振腔体的谐振部件、均向所述谐振腔体馈电的第一波导和第二波导;所述谐振部件上分别设置有第一耦合窗口和第二耦合窗口,所述第一波导通过所述第一耦合窗口与所述谐振腔体连通,所述第二波导通过所述第二耦合窗口与所述谐振腔体连通;所述第一波导和所述第二波导均为矩形波导;所述第一波导的宽度边方向与所述第二波导的宽度边方向相互正交;所述谐振部件上还设置有用于所述谐振腔体向自由空间辐射极化波的镂空槽。该辐射单元具有高辐射效率、高功率容量、良好的机械强度和高增益特性,能够承受大功率传输,端口之间隔离度高。
搜索关键词: 一种 隔离 极化 辐射 单元
【主权项】:
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