[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202010115755.1 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111668300B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;大部功;井手野馨;小屋茂树 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王玮;张丰桥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010115755.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车辆的爪形离合器
- 下一篇：气体供给单元以及气体供给方法
- 同类专利
- 专利分类
