[发明专利]一种自支撑多孔硅合金及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202010115910.X | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111293296A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 冯金奎;安永灵;田园 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自支撑多孔硅合金及其制备方法与应用，所述方法具体包括如下步骤：将A‑B‑Si类硅合金粉为原材料，在真空条件下，将原材料在200‑1000℃的温度区间内处理，将A元素逐渐脱出，最终得到多孔的硅合金。本发明制备的是自支撑的多孔硅合金，可以直接用作电极，不需要涂敷在集流体上；所制备的多孔硅合金中，导电性高的金属均匀的复合在硅中，所以会极大地提高硅负极的导电性；所脱出的低熔沸点的物质可以回收利用，不会污染环境；真空热处理工艺稳定，易于大规模生产；所制备的多孔硅合金孔径分布均匀，并且孔的大小可以通过真空温度和时间来调控；制备方法简单、导电效率高、实用性强，易于推广。步骤简单、操作方便、实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 多孔 合金 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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