[发明专利]闪存器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010116390.4 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111199978B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 周海洋;沈思杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11531 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存器件的形成方法，通过形成图形化的光刻胶层，通过所述图形化的光刻胶层覆盖暴露出的半导体衬底、结构层和第一多晶硅层的部分；然后去除所述第一多晶硅层的部分和部分厚度的所述第二多晶硅层；进一步的，去除所述图形化的光刻胶层的部分，以暴露出所述结构层；以及，去除所述结构层的部分和剩余的所述第二多晶硅层。由此，通过两次去除的方法去除所述第二多晶硅层，从而避免所述第二多晶硅层的残留，进一步的避免残留的所述第二多晶硅层在后续的工艺中剥落，进而避免造成缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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