[发明专利]光刻胶剥离去除方法在审
| 申请号： | 202010116396.1 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111308867A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李中华;李润领;陆连 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体制造工艺中的光刻胶剥离去除方法，包括在半导体衬底上淀积介质层；旋涂光刻胶并曝光显影，形成光刻图形阻挡层；执行离子注入：采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀，对光刻胶进行干法剥离；对衬底表面进行清洗。本发明采用氮氢混合气体能与第一光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体，能有效减少光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 剥离 去除 方法 | ||
【主权项】：
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