[发明专利]晶粒封装结构的制造方法在审
申请号: | 202010116689.X | 申请日: | 2020-02-25 |
公开(公告)号: | CN113380641A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 赖建志;林泓彣 | 申请(专利权)人: | 典琦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种晶粒封装结构的制造方法包含下述操作。提供具有多个凹槽的导电基板。在各凹槽中设置晶粒。形成导电层,覆盖晶粒及导电基板。形成图案化光阻层于导电层上,图案化光阻层具有多个开口暴露出导电层的多个区域。在导电层的各区域上形成屏蔽。在形成屏蔽后,移除图案化光阻层。利用屏蔽,选择性蚀刻导电层及其下的导电基板至预定深度,以形成多个导电凸块以及多个电极,其中剩余的导电基板包含底板,电极位在底板上,且导电凸块位在晶粒上。形成上封胶层覆盖底板及晶粒,其中屏蔽、导电凸块或电极露出上封胶层。本发明可以达到晶粒封装结构在垂直方向上的微小化以及改善功率芯片的散热效果。 | ||
搜索关键词: | 晶粒 封装 结构 制造 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造