[发明专利]晶粒封装结构的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010116689.X 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN113380641A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 赖建志;林泓彣 申请(专利权)人: 典琦科技股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张琳
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种晶粒封装结构的制造方法包含下述操作。提供具有多个凹槽的导电基板。在各凹槽中设置晶粒。形成导电层,覆盖晶粒及导电基板。形成图案化光阻层于导电层上,图案化光阻层具有多个开口暴露出导电层的多个区域。在导电层的各区域上形成屏蔽。在形成屏蔽后,移除图案化光阻层。利用屏蔽,选择性蚀刻导电层及其下的导电基板至预定深度,以形成多个导电凸块以及多个电极,其中剩余的导电基板包含底板,电极位在底板上,且导电凸块位在晶粒上。形成上封胶层覆盖底板及晶粒,其中屏蔽、导电凸块或电极露出上封胶层。本发明可以达到晶粒封装结构在垂直方向上的微小化以及改善功率芯片的散热效果。
搜索关键词: 晶粒 封装 结构 制造 方法
【主权项】:
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