[发明专利]一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺在审

专利信息
申请号: 202010116915.4 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN113373510A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 申请(专利权)人: 内蒙古中环光伏材料有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 代理人: 栾志超
地址: 010070 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明提供一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺,在单晶断苞后自动阶段下降进行回熔单晶回熔时,在每一阶段中,测量回熔单晶的初始重量,并将该回熔单晶下降一定距离至硅溶液液面下,在预设的回熔时间内进行回熔,当达到回熔时间后,进行回熔单晶是否回熔完的判定,若硅溶液内的回熔单晶回熔完,进行下一阶段下降回熔单晶回熔;否则,进行回熔状态判定。本发明的有益效果是采用自动控制,对断苞后的单晶进行阶段性回熔,且在每一阶段回熔时,自动进行单晶是否回熔完判断,降低劳动强度,提高工作效率,自动化程度高。
搜索关键词: 一种 单晶断苞后 自动 回熔时回熔 状态 判定 工艺
【主权项】:
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