[发明专利]一种激光器芯片腔面微缺陷的损伤发展预测方法有效
申请号: | 202010117790.7 | 申请日: | 2020-02-25 |
公开(公告)号: | CN111353223B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 贾华宇;温盛宇;李灯熬 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人: | 任林芳 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明属于半导体激光器领域;激光器腔膜损伤发展的预测研究目前还比较匮乏,现阶段多是对损伤完成以后的腔膜进行观测,分析和研究,因而分析的既成损伤是随机的,并没有规律可循,无法对损伤的发展做出精准的直观的预测,本发明提供一种激光器芯片腔面微缺陷的损伤发展预测方法,根据对样本的整理分析建立缺陷几何结构建模并进行仿真,获取缺陷处光强值,再对阈值进行预测,得到带微缺陷的损伤阈值损伤阈值,由能量传递原理对缺陷的损伤发展进行迭代预测分析,以直观的方式显示了缺陷带来的电磁场的变化。对激光器芯片的生产加工以及应用具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光器 芯片 腔面微 缺陷 损伤 发展 预测 方法 | ||
【主权项】:
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