[发明专利]一种长波长垂直腔面发射半导体激光器在审

专利信息
申请号: 202010117961.6 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN111162450A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 张星 申请(专利权)人: 长春中科长光时空光电技术有限公司
主分类号: H01S5/10 分类号: H01S5/10;H01S5/183
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王云晓
地址: 130000 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开了一种长波长垂直腔面发射半导体激光器,包括下波导层;位于下波导层表面的短波发光区;位于短波发光区背向下波导层一侧表面的上波导层;位于上波导层背向下波导层一侧表面的长波发光区;位于长波发光区背向下波导层一侧表面的上光子晶体层;上光子晶体层设置有多个散射柱以形成光子晶体,散射柱沿厚度方向从上光子晶体层背向下波导层一侧表面延伸至上波导层。短波发光区可以产生波长较短的光线并在水平方向上震荡以产生短波长激光。该短波长激光会作为泵浦激光,通过延伸至上波导层的光子晶体传输至长波发光区以激发长波发光区产生长波光线并形成长波长激光出射,使激光器具有较低电阻的同时,具有较好的散热性能。
搜索关键词: 一种 波长 垂直 发射 半导体激光器
【主权项】:
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