[发明专利]一种单层正交结构磁电多铁陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202010118616.4 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111187066A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 毛翔宇;殷永杰;王伟;卢建安;刘飞 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种单层正交结构磁电多铁陶瓷及其制备方法，该陶瓷的晶格参数如下：化学式：LaFe |
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| 搜索关键词： | 一种 单层 正交 结构 磁电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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