[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010118735.X | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111627825A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 松田庆太 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王伟;高伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括以下步骤：在半导体区域上形成第一有机绝缘层；形成凸块基膜，所示凸块基膜包括与所述第一有机绝缘层接触的边缘部；对所述凸块基膜进行热处理；以及形成第二有机绝缘层，所示第二有机绝缘层覆盖所述凸块基膜的边缘部和所述凸块基膜周围的所述第一有机绝缘层，同时与所述第一有机绝缘层相接触，所述第二有机绝缘层设置有露出所述凸块基膜的表面的第一开口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
