[发明专利]一种半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010121614.0 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111403599B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 肖韩;刘毅华;黄如 | 申请（专利权）人： | 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，包括阻变层与顶部电极，在阻变层与顶部电极之间注入硅离子形成过渡层。本发明还公开了一种氧化钽基半导体结构的制造方法。在顶部电极和阻变层之间形成一层Ta‑Si‑O的过渡层，由于游离Si的存在，器件的过渡层对氧空位的抓取能力相比较底部电极与所述阻变层之间的界面层更强，氧空位更多的的集中在过渡层且不容易被激发出来，进而改善了器件的数据保持能力和开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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