[发明专利]光电转换设备及其制造方法、成像系统以及图像读取装置在审
申请号: | 202010122242.3 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111627945A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 小仓正徳 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 汪晶晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了光电转换设备及其制造方法、成像系统以及图像读取装置。光电转换设备包括:布置有像素的像素区域,其中每个像素包括光电转换器;以及与像素对应的微透镜。像素区域包括相邻的第一区域和第二区域,在第一区域和第二区域对准的方向上相邻的第一区域中的第一像素和第二区域中的第二像素以第一布置节距布置,第一区域中在该方向上相邻的两个像素以第二布置节距布置,第二区域中在该方向上相邻的两个像素以第三布置节距布置,第二布置节距和第三布置节距小于第一布置节距,并且与相邻的第一区域中的像素和第二区域中的像素对应的两个微透镜的布置节距小于第一布置节距。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 设备 及其 制造 方法 成像 系统 以及 图像 读取 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的