[发明专利]一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法及铜材料有效
| 申请号： | 202010123961.7 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111188086B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B1/12;C30B29/02 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法，将多层单晶铜箔叠合在一起形成层叠体，采用在加压的同时高温退火的方式将所述层叠体加压退火成一体，或者是采用直接热轧的方式将所述层叠体压合成一体，制备出超高导电多层单晶压合铜材料。该方法用多层单晶铜箔作为原料，利用热轧或压合退火的方法制备出超高导电多层单晶压合铜材料，其电导率大于等于105％IACS。本发明提出的方法，解决了单晶铜材料制备成本高昂，技术复杂，价格昂贵，无法大规模生产等一系列问题，通过非常简单的方法，实现了超高导电多层单晶压合铜材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 导电 多层 单晶压合铜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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