[发明专利]一种金属二次电子发射系数计算方法有效
| 申请号： | 202010124577.9 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111353259B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 胡笑钏;张瑞;谷文萍;张赞;徐小波 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;G06N7/01 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李晓晓 |
| 地址： | 710064*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属二次电子发射系数计算方法，考虑入射电子在材料中散射并激发内二次电子，内二次电子向表面运动，并发生级联散射，表面处的内二次电子越过表面势垒形成二次电子发射，建立依次考虑上述过程涉及的物理机制的金属二次电子发射系数半经验公式，对电子射程与内二次电子能量分布函数进行优化，并考虑了斜入射和背散射修正，获得金属的二次电子发射系数半经验公式，结果表明，优化公式计算结果与实验测量结果的相对误差不超过20％，相对于以往公式相对误差至少降低了10％，验证了优化公式的可靠性和普适性，本发明相对于其他传统的实验测量方法和蒙特卡洛计算方法，能够大幅缩短计算时间，使用更加简洁、方便，并且结果精准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 二次电子 发射 系数 计算方法 | ||
【主权项】：
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