[发明专利]一种基于标准IC工艺的铁氧体薄膜变压器有效
| 申请号： | 202010126030.2 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111276322B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 胡炜薇;经龙 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/32;H01F27/24 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于标准IC工艺的铁氧体薄膜变压器，包括高阻硅基片(1)上依次覆有第一绝缘层(2)、金属初级线圈连接线层(3)、第二绝缘层(4)、金属初级线圈绕组层(5)、铁氧体磁芯薄膜层(6)、金属次级线圈绕组层(7)、第三绝缘层(8)、金属次级线圈连接线层(9)、第四绝缘层(10)；所述的金属初级线圈和金属次级线圈为半圆形形状，并且初次级线圈上下重合。本发明通过使用高阻硅基片(1)和第一绝缘层(2)，减少衬底涡流损耗；使用具有较高电导率的金属铜作为导电线圈材料，可减少金属损耗；使用YIG铁氧体薄膜作为磁芯，可以增强电感值和品质因数，同时YIG铁氧体磁芯的使用可以减少版图面积；采用标准IC工艺实现，有集成度高、成本低、易于大规模生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 标准 ic 工艺 铁氧体 薄膜 变压器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010126030.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
