[发明专利]一种利用掩膜保护的太阳能电池单面制绒工艺

摘要

本发明公开了一种利用掩膜保护的太阳能电池单面制绒工艺，包括：⑴对硅片进行碱制绒，在硅片的正面和背面上形成减反射绒面；⑵将硅片置于炉管中进行热扩散，在硅片的正面和背面形成氧化层；⑶保护硅片正面的氧化层，并去除背面PN结和氧化层，同时去除背面的减反射绒面；⑷对硅片进行碱制绒，在硅片的背面上形成减反射绒面，再去除硅片正面上的氧化层，完成太阳能电池单面制绒。本发明利用热扩散形成的氧化层作为掩模，实现太阳能电池单面制绒，在产线上仅需增加一台制绒槽式设备即可，产线兼容度高，省去掩膜工序，可避免SiNx膜的单独清洗及SiNx清洗引入的污染，同时电池的正面结构被保留，降低了太阳能电池的加工成本。