[发明专利]数据保持电路、数据处理系统和写入充电状态的方法在审
申请号: | 202010127110.X | 申请日: | 2020-02-28 |
公开(公告)号: | CN111640459A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | T.拉克希特;R.哈彻;J.A.基特尔 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;G11C11/18;G11C14/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种非易失性数据保持电路包括:互补锁存器,被配置为当处于写入模式时,生成并存储对应于输入信号的互补非易失性自旋状态,并且当处于读取模式时,同时生成对应于互补非易失性自旋状态的第一充电电流信号和第二充电电流信号;以及差分放大器,耦合到互补锁存器,并被配置为基于第一充电电流信号和第二充电电流信号来生成输出信号。 | ||
搜索关键词: | 数据 保持 电路 数据处理系统 写入 充电 状态 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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