[发明专利]一种三层晶圆键合的对准设备以及键合方法在审
| 申请号： | 202010127277.6 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111211075A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李盈 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三层晶圆键合对准设备和利用所述对准设备进行三层晶圆键合的方法，所述对准设备包括本体以及设置在所述本体上的隔离片机构和固定机构，所述隔离片机构包括两层隔离片，所述两层隔离片之间具有间隙，多个隔离片机构可利用所述间隙的封闭端将晶圆夹紧。隔离片机构对位于双层隔离片之间的晶圆具有限位固定作用，其结构简单，操作方便，简化了键合步骤，使得所述对准设备可以一次完成三层晶圆的对准固定，在不增加过多成本的情况下，可以一次性直接完成三层晶圆的键合，提高了效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三层 晶圆键合 对准 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
