[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010129496.8 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327979B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：在所述衬底上形成伪栅极；形成覆盖所述伪栅极侧壁的第一侧墙；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙侧壁并暴露出所述伪栅极顶部表面；去除所述伪栅极和所述第一侧墙，在所述介质层中形成开口；在所述开口中形成栅极。所述形成方法能够形成高质量的栅极，增加栅极对沟道载流子的控制作用，减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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