[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010129546.2 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113328033A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 汪昌州;刘继全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成电极层；在电极层上形成合金种子层；在合金种子层上形成磁性隧道结叠层结构。本发明实施例中，通常在形成磁性隧道结叠层结构后，会对磁性隧道结叠层结构进行退火处理，在退火处理的过程中，合金种子层中的原子不易扩散至磁性隧道结叠层结构的隧穿势垒层中，进而隧穿势垒层的材料更易转变成单晶态，使得磁性隧道结叠层结构具有较大磁阻比；此外，通过控制合金种子层中各原子之间的比例，能够使得合金种子层经过退火处理后，合金种子层顶面的面粗糙度不易提高，磁性隧道结叠层结构的各个膜层之间界面的面粗糙度不易提高，有利于磁性隧道结叠层结构具有较大的磁阻比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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