[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010130422.6 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111640789A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/78;H01L27/11521;H01L27/11568;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。在具有由鳍型MISFET配置的MONOS存储器的半导体器件中，防止了布线之间的寄生电容伴随半导体器件小型化的增加，并且提高了半导体器件的可靠性。在存储器单元阵列中，其中布置了在鳍上形成的多个MONOS型存储器单元，在鳍的短方向上布置的多个鳍上形成的源极区域通过跨过鳍的一个外延层彼此电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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