[发明专利]一种AlTi靶放电AlTiN/AlN复合相涂层的多弧离子镀制备方法有效
| 申请号： | 202010132027.1 | 申请日： | 2020-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN113322433B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 许建平;请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 黑龙江工程学院;黑龙江省海振科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/02;C23C14/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213 | 代理人： | 高志光 |
| 地址： | 150050 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlTi靶放电AlTiN/AlN复合相涂层的多弧离子镀制备方法，涉及真空涂层领域。本发明的目的是为了解决现有多弧离子镀制备AlTiN涂层时涂层Al含量低于AlTi靶设计Al含量的问题，采用单一AlTi靶，在保证稳定放电情况下，提升AlTiN涂层Al含量，获得高性能的AlTiN/AlN复合相涂层。方法：一、工件清洗；二、制备Ti/TiN过渡涂层；三、采用AlTi（67/33）合金作为靶，启动并调控辅助气体真空电弧放电电源，溅射离化Al原子及其基团，启动偏压电源在工件表面获得AlN/AlTiN复合相涂层结构。本发明可以制备含AlN相的AlTiN涂层，提高AlTi靶材中Al成膜比例，Al以AlN相存在，形成AlTiN/AlN复合相涂层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 alti 放电 altin aln 复合 涂层 离子镀 制备 方法 | ||
【主权项】：
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