[发明专利]一种绝缘介质薄膜电荷注入情况的测量方法和装置在审
| 申请号： | 202010132204.6 | 申请日： | 2020-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN111308231A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 郑飞虎;许博弘;张冶文 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G01R29/24 | 分类号： | G01R29/24;G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 王怀瑜 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘介质薄膜电荷注入情况的测量方法和装置，方法包括以下步骤：S1：获取待测绝缘介质薄膜样品；S2：对待测绝缘介质薄膜样品施加低电场，达到预设的第一时间后，进行短路处理，获取第一短路电流；S3：对待测绝缘介质薄膜样品施加高电场，达到预设的第二时间后，进行短路处理；S4：对待测绝缘介质薄膜样品再次施加步骤S2中的低电场并保持预设的第一时间，进行短路处理，获取第二短路电流；S5：比较第一短路电流和第二短路电流的波形，获取电荷注入情况。与现有技术相比，本发明所需设备较少，成本较低，可以快速地半定量检测出样品中的空间电荷注入量，且可以根据样品实际使用情况在不同温度和加压状态进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 介质 薄膜 电荷 注入 情况 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
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