[发明专利]一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法有效
| 申请号： | 202010132560.8 | 申请日： | 2020-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN111218072B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李丽丽;胡永倩;周炳;吴薇;董林玺;王高峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/04;C08K7/00;C08K3/24;C08J5/18 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 黄前泽 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法。介电复合材料制备中，高体积分数无机物粒子的加入，会导致聚合物的机械性能和击穿强度大幅度降低。所述的复合材料是由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的；钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1～30％，钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1～10μm，厚度为10～100nm；所述的PVDF基聚合物包含聚偏氟乙烯PVDF和基于PVDF的P(VDF‑CTFE)、P(VDF‑HFP)、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑CTFE‑TrFE)。本发明使用二维片状钛酸锶作为无机添加粒子，可以有效降低添加物的含量，避免高含量无机粒子添加导致的机械性能和击穿强度的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电高储能 二维 片状 钛酸锶 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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