[发明专利]一种制备多孔电极片的穿孔装置及方法有效

专利信息
申请号: 202010133457.5 申请日: 2020-03-02
公开(公告)号: CN111326740B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 张晓虎;马衍伟;孙现众;安亚斌 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01M4/80 分类号: H01M4/80;B21D35/00;B21D43/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 张天一
地址: 100190 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种制备多孔电极片的穿孔装置及方法,本发明的穿孔装置的穿刺针长度与穿刺针固定部与电极片支撑部最小距离存在‑5000μm≤L‑L1≤5000μm,的关系,当L≥L1,穿孔装置对电极片穿孔形成通孔结构;当L<L1,穿孔装置对电极片穿孔形成盲孔结构。因此,本发明的穿孔装置既可以制备具有通孔结构的电极片,又可以制备具有盲孔结构的电极片以及兼具通孔和盲孔结构的电极片,保证了多孔结构的多样性,不仅为预嵌锂提供离子通道,还提升了电极片的电解液浸润速度和浸润均匀度,为多孔电极组成的储能器件性能(如循环寿命、倍率特性、容量和防止锂沉积以提高电池安全性能等)的提高起到关键作用。
搜索关键词: 一种 制备 多孔 电极 穿孔 装置 方法
【主权项】:
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