[发明专利]一种氧化水平异质p-n结结构器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010133858.0 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111415978B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 方志来;闫春辉;蒋卓汛;吴征远;田朋飞;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氧化水平异质p‑n结结构器件及其制备方法，属于半导体器件领域，所述氧化水平异质p‑n结结构器件包括：衬底、n型材料层、嵌入所述n型材料层内部的p型材料层、以及n型材料层和p型材料层上表面上的金属电极。其中，通过在n型材料层上覆盖掩膜物，实现p型材料层的选择性生长，生长结束后可获得水平方向的异质p‑n结结构，所述的p型材料层载流子浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 水平 结构 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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