[发明专利]用于多点热路径评估的系统和方法在审
| 申请号： | 202010134198.8 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111640684A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | G·N·弗朗西斯科;K·M·格迪瑟;J·L·吉恩;N·J·曼尼;T·E·普里切特;S·鲁斯;姚国辉 | 申请（专利权）人： | 德尔福技术知识产权有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周全;钱慰民 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于评估与集成电路相关联的热路径的方法包括：基于集成电路的设计类型来标识热施加模式。方法还包括测量与集成电路相关联的至少一个热感测器件的第一温度。方法还包括根据热施加模式将热施加到集成电路的至少一部分。方法还包括测量至少一个热感测设备的第二温度。方法还包括确定第一温度与第二温度之间的差。方法还包括基于第一温度和第二温度之间的差与至少一个热感测器件的初始温度和后续温度之间的预定差之间的比较，来确定集成电路和相关联的基板之间的热路径是否足够。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多点 路径 评估 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德尔福技术知识产权有限公司，未经德尔福技术知识产权有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010134198.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：旋转电机的转子
- 下一篇：点云编码的方法和装置、计算机设备和存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
